IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件，正如其开发的目的，结合了高效率和快速的开关功能，它在许多应用中切换电力，像是变频驱动(VFD)、电动汽车、火车、变速冰箱、灯镇流器和空调。传统的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)的导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
具有四个交替层(P-N-P-N)的IGBT由不具有再生作用的金属氧化物半导体(MOS)栅极结构控制。由于其设计为可以快速地打开和关闭，因此放大器通常会使用它通过脉宽调制和低通滤波器来合成复杂的波形。除了将n +漏极替换为p +集电极层之外，IGBT单元的构造类似于n沟道垂直构造的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p +区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。
IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中开关的双极型功率晶体管组合在一起。
